Enhanced high temperature performance of PD-SOI MOSFETs in analog circuits using reverse body biasing
In: Journal of Microelectronics and Electronic Packaging / IMAPS (Hrsg.). , Jg. 10 (2013), Heft 4, S. 171 - 182
2013Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
ElektrotechnikFakultät für Ingenieurwissenschaften » Elektrotechnik und Informationstechnik » Elektronische Bauelemente und Schaltungen
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Titel in Englisch:
Enhanced high temperature performance of PD-SOI MOSFETs in analog circuits using reverse body biasing
Autor*in:
Schmidt, Alexander;Kappert, Holger;Kokozinski, RainerUDE
- GND
- 173084451
- LSF ID
- 50200
- ORCID
-
0000-0003-3416-3310
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
2013
Sprache des Textes:
Englisch
Erschienen in
Titel in Englisch (abgekürzt):
J. Microelectron. Electron. Packag.
Herausgeber*in:
IMAPS
Erscheinungsort:
Pittsburgh
in:
Jg. 10 (2013), Heft 4, S. 171 - 182
ISSN
ZDB ID