Rigorose Modellbeschreibung für InP-basierte Heterostruktur-Bipolartransistoren
Duisburg (2005), XII, 197 Bl.
Dissertation / Fach: Elektrotechnik
Fakultät für Ingenieurwissenschaften » Ingenieurwissenschaften - Campus Duisburg » Abteilung Elektrotechnik und Informationstechnik
Zugl.: Duisburg, Essen, Univ., Diss., 2005
Signatur des Buches: YFB5944
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