Sindermann, Simon; Witt, Christian; Spoddig, Detlef; Horn-von Hoegen, Michael; Dumpich, Günter; Meyer zu Heringdorf, Frank:
Epitaxial Ag Nanowires with a Single Grain Boundary for Electromigration
2011
In: Review of scientific instruments, Jg. 82 (2011), Heft 12, S. 123907 - 123912
Artikel/Aufsatz in Zeitschrift / Fach: Physik
Fakultät für Physik » Experimentalphysik
Titel:
Epitaxial Ag Nanowires with a Single Grain Boundary for Electromigration
Autor(in):
Sindermann, Simon im Online-Personal- und -Vorlesungsverzeichnis LSF anzeigen; Witt, Christian im Online-Personal- und -Vorlesungsverzeichnis LSF anzeigen; Spoddig, Detlef im Online-Personal- und -Vorlesungsverzeichnis LSF anzeigen; Horn-von Hoegen, Michael im Online-Personal- und -Vorlesungsverzeichnis LSF anzeigen; Dumpich, Günter im Online-Personal- und -Vorlesungsverzeichnis LSF anzeigen; Meyer zu Heringdorf, Frank im Online-Personal- und -Vorlesungsverzeichnis LSF anzeigen
Erscheinungsjahr:
2011
Erschienen in:
Review of scientific instruments, Jg. 82 (2011), Heft 12, S. 123907 - 123912
ISSN:
DOI:

Abstract:

Test structures for electromigration with defined grain boundary configurations can be fabricated using focused ion beam (FIB). We present a novel approach of combining epitaxial growth of Ag islands with FIB milling. Depending on the growth parameters, bi-crystalline Ag islands can be grown on Si(111) surfaces and can be structured into wires by FIB. To avoid doping effects of the used Ga FIB, silicon on insulator (SOI) substrates are used. By cutting through the device layer of the SOI substrate with deep trenches, the Ag wire can be electrically separated from the rest of the substrate. In this way, Ag wires with one isolated grain boundary of arbitrary direction can be assembled. Using scanning electron microscopy we demonstrate the feasibility of our approach.