Altsinger, R.; Busch, H.; Horn-von Hoegen, Michael; Henzler, M.:
Nucleation and growth during molecular beam epitaxy (MBE) of Si on Si(111)
The 11th International Seminar on Surface Physics ; May 11-16, 1987, Piechowice, Poland
In: Surface Science, Jg. 200 (1988), Heft 2-3, S. 235 - 246
1988Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
Physik (inkl. Astronomie)
Damit verbunden: 1 Publikation(en)
Titel in Englisch:
Nucleation and growth during molecular beam epitaxy (MBE) of Si on Si(111)
Konferenz
The 11th International Seminar on Surface Physics ; May 11-16, 1987, Piechowice, Poland
Autor*in:
Altsinger, R.;Busch, H.;Horn-von Hoegen, MichaelUDE
GND
1201039908
LSF ID
10366
ORCID
0000-0003-0324-3457ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;
Henzler, M.
Erscheinungsjahr:
1988
Sprache des Textes:
Englisch