Horn-von Hoegen, Michael; Falta, J.; Henzler, M.:
The initial stages of growth of silicon on Si(111) by spot profile analysing low-energy electron diffraction
In: Thin Solid Films, Jg. 183 (1989), Heft 1-2, S. 213 - 220
1989Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
Physik (inkl. Astronomie)
Damit verbunden: 1 Publikation(en)
Titel in Englisch:
The initial stages of growth of silicon on Si(111) by spot profile analysing low-energy electron diffraction
Autor*in:
Horn-von Hoegen, MichaelUDE
GND
1201039908
LSF ID
10366
ORCID
0000-0003-0324-3457ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;Falta, J.;Henzler, M.
Erscheinungsjahr:
1989
DOI
10.1016/0040-6090(89)90446-X
Sprache des Textes:
Englisch
Erschienen in
Thin Solid Films
Erscheinungsort:
Amsterdam
Verlag:
Elsevier
in:
Jg. 183 (1989), Heft 1-2, S. 213 - 220
ISSN
0040-6090 Verfügbarkeit online & gedruckt anzeigen
ISSN
1879-2731 Verfügbarkeit online & gedruckt anzeigen
ZDB ID
1482896-0