Ge d -Layers on Si(111) and Si(001) grown by MBE and SPE
In: MRS Proceedings, Band 375 (1995), S. 177 - 180
1995Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
Physik (inkl. Astronomie)Fakultät für Physik » Experimentalphysik
Titel:
Ge d -Layers on Si(111) and Si(001) grown by MBE and SPE
Autor*in:
Falta, J.;Gog, T.;Materlik, G.;Müller, B.H.;Horn-von Hoegen, MichaelUDE
- GND
- 1201039908
- LSF ID
- 10366
- ORCID
- 0000-0003-0324-3457
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
1995