Kammler, Martin; Reinking, Dirk; Hofmann, Karl R.; Horn-von Hoegen, Michael:
Surfactant-mediated epitaxy of Ge on Si: progress in growth and electrical characterization
1999
In: Thin Solid Films, Jg. 336 (1999), Heft 1-2, S. 29 - 33
Artikel/Aufsatz in Zeitschrift / Fach: Physik
Fakultät für Physik » Experimentalphysik
Titel:
Surfactant-mediated epitaxy of Ge on Si: progress in growth and electrical characterization
Autor(in):
Kammler, Martin im Online-Personal- und -Vorlesungsverzeichnis LSF anzeigen; Reinking, Dirk; Hofmann, Karl R.; Horn-von Hoegen, Michael im Online-Personal- und -Vorlesungsverzeichnis LSF anzeigen
Erscheinungsjahr
1999
Erschienen in:
Thin Solid Films, Jg. 336 (1999), Heft 1-2, S. 29 - 33
ISSN
DOI