Cavalleri, Andrea; Siders, Craig W.; Rose-Petruck, Christoph G.; Jimenez, Ralph; Tóth, Csaba; Squier, J.A.; Barty, Christopher P.P.; Wilson, Kent R.; Sokolowski-Tinten, Klaus; Horn-von Hoegen, Michael; von der Linde, Dietrich:
Ultrafast x-ray measurement of laser heating in semiconductors: Parameters determining the melting threshold"
2001
In: Physical Review B, Jg. 63 (2001), Heft 19, 193306 (4p)
Artikel/Aufsatz in Zeitschrift / Fach: Physik
Fakultät für Physik » Experimentalphysik
Titel:
Ultrafast x-ray measurement of laser heating in semiconductors: Parameters determining the melting threshold"
Autor(in):
Cavalleri, Andrea; Siders, Craig W.; Rose-Petruck, Christoph G.; Jimenez, Ralph; Tóth, Csaba; Squier, J.A.; Barty, Christopher P.P.; Wilson, Kent R.; Sokolowski-Tinten, Klaus im Online-Personal- und -Vorlesungsverzeichnis LSF anzeigen; Horn-von Hoegen, Michael im Online-Personal- und -Vorlesungsverzeichnis LSF anzeigen; von der Linde, Dietrich im Online-Personal- und -Vorlesungsverzeichnis LSF anzeigen
Erscheinungsjahr
2001
Erschienen in:
Physical Review B, Jg. 63 (2001), Heft 19, 193306 (4p)
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Abstract:

The pulse-width dependence of thermal melting and ablation thresholds in germanium and gallium arsenide is correlated to direct, ultrafast x-ray measurements of laser-heated depths. The heating dynamics, determined by the interplay of nonlinear optical absorption, delayed Auger heating, and high-density carrier diffusion, explain the scaling laws of thermal melting thresholds in different semiconductors.