An analytic many-body potential for GaAs(001) homoepitaxy : bulk and surface properties
In: Physical Review B : Condensed matter and materials physics, Jg. 83 (2011), Heft 19, S. 195328
2011Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
Physik (inkl. Astronomie)Fakultät für Physik » Theoretische PhysikForschungszentren » Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE)
Damit verbunden: 1 Publikation(en)
Titel in Englisch:
An analytic many-body potential for GaAs(001) homoepitaxy : bulk and surface properties
Autor*in:
Fichthorn, Kristen A.;Tiwary, Yogesh;Hammerschmidt, Thomas;Kratzer, PeterUDE
- GND
- 105650420
- LSF ID
- 14826
- ORCID
-
0000-0001-5947-1366
- ORCID
-
0000-0003-4790-4616
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
2011
Sprache des Textes:
Englisch
Erscheinungsort:
College Park
Verlag:
American Physical Society (APS)
in:
Jg. 83 (2011), Heft 19, S. 195328
ISSN
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ZDB ID
Signatur der UB:
Notiz:
1.1970 - 92.2015