Fichthorn, Kristen A.; Tiwary, Yogesh; Hammerschmidt, Thomas; Kratzer, Peter; Scheffler, Matthias:
An analytic many-body potential for GaAs(001) homoepitaxy : bulk and surface properties
2011
In: Physical review B: condensed matter and materials physics, Jg. 83 (2011), Heft 19, 1-11, art. no. 195328
Artikel/Aufsatz in Zeitschrift2011Physik
Fakultät für Physik » Theoretische Physik
Zentrale wissenschaftliche Einrichtungen » Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE)
Titel:
An analytic many-body potential for GaAs(001) homoepitaxy : bulk and surface properties
Autor(in):
Fichthorn, Kristen A.; Tiwary, Yogesh; Hammerschmidt, Thomas; Kratzer, PeterLSF; Scheffler, Matthias
Erscheinungsjahr
2011
DOI:
Erschienen in:
Titel:
Physical review B: condensed matter and materials physics
in:
Jg. 83 (2011), Heft 19, 1-11, art. no. 195328
ISSN:
ISSN:
Signatur der UB