Stegner, Andre R.; Pereira, Rui N.; Lechner, Robert; Klein, Konrad; Wiggers, Hartmut; Stutzmann, Martin; Brandt, Martin:
Doping efficiency in freestanding silicon nanocrystals from the gas phase: Phosphorus incorporation and defect-induced compensation
2009
In: Physical Review B, Jg. 80 (2009), Heft 16, 165326 (10pp)
Artikel/Aufsatz in Zeitschrift / Fach: Maschinenbau
Titel:
Doping efficiency in freestanding silicon nanocrystals from the gas phase: Phosphorus incorporation and defect-induced compensation
Autor(in):
Stegner, Andre R.; Pereira, Rui N.; Lechner, Robert; Klein, Konrad; Wiggers, Hartmut im Online-Personal- und -Vorlesungsverzeichnis LSF anzeigen; Stutzmann, Martin; Brandt, Martin
Erscheinungsjahr
2009
Erschienen in:
Physical Review B, Jg. 80 (2009), Heft 16, 165326 (10pp)