Rigorose Modellbeschreibung für InP basierte Heterostruktur-Bipolartransistoren
Dr. Ehrich, Silja
Dateibereich 5690
5,33 MB in 2 Dateien, zuletzt geändert am 20.10.2006
| Datei | Dateien geändert am | Größe |
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| Ehrich_Diss.pdf | 29.07.2005 00:00:00 | 5,31 MB |
| index.html | 20.10.2006 11:07:10 | 20,8 KB |
For circuit simulation and device optimisation it is necessary to have one consistent model which describes not only the DC-behaviour of the device correcty but also the the small-signal and noise behaviour. This work presents a rigorous modell-description of an InP based heterojunction bipolartransitor taking into account material specific effects for all bias conditions.
Lesezeichen:
Dokumententyp:
Wissenschaftliche Abschlussarbeiten » Dissertation
Fakultät / Institut:
Fakultät für Ingenieurwissenschaften » Ingenieurwissenschaften - Campus Duisburg » Abteilung Elektrotechnik und Informationstechnik
Dewey Dezimal-Klassifikation:
600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften » 620 Ingenieurwissenschaften
Stichwörter:
emitter-area scaling, temperature dependent, bias dependent, model, HBT, rf-noise, InP, equivalent circuit
Beitragende:
Prof. Dr. rer. nat. Tegude, Franz-Josef [Betreuer(in), Doktorvater]
Prof. Dr. -Ing. Böck, Georg [Gutachter(in), Rezensent(in)]
Prof. Dr. -Ing. Böck, Georg [Gutachter(in), Rezensent(in)]
Sprache:
Deutsch
Kollektion / Status:
Dissertationen / Dokument veröffentlicht
Datum der Promotion:
29.07.2005
Dokument erstellt am:
29.07.2005
Dateien geändert am:
20.10.2006
Medientyp:
Text