Rigorose Modellbeschreibung für InP basierte Heterostruktur-Bipolartransistoren

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For circuit simulation and device optimisation it is necessary to have one consistent model which describes not only the DC-behaviour of the device correcty but also the the small-signal and noise behaviour. This work presents a rigorous modell-description of an InP based heterojunction bipolartransitor taking into account material specific effects for all bias conditions.
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Dokumententyp:
Wissenschaftliche Abschlussarbeiten » Dissertation
Fakultät / Institut:
Fakultät für Ingenieurwissenschaften » Elektrotechnik und Informationstechnik
Dewey Dezimal-Klassifikation:
600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften » 620 Ingenieurwissenschaften
Stichwörter:
emitter-area scaling, temperature dependent, bias dependent, model, HBT, rf-noise, InP, equivalent circuit
Beitragende:
Prof. Dr. rer. nat. Tegude, Franz-Josef [Betreuer(in), Doktorvater]
Prof. Dr. -Ing. Böck, Georg [Gutachter(in), Rezensent(in)]
Sprache:
Deutsch
Kollektion / Status:
Dissertationen / Dokument veröffentlicht
Datum der Promotion:
29.07.2005
Dokument erstellt am:
29.07.2005
Dateien geändert am:
20.10.2006
Medientyp:
Text