Monolithische Integration von Heterostruktur-Bipolartransistoren und Elektroabsorptionsmodulatoren auf InP

Dateibereich 5528

2,83 MB in 2 Dateien, zuletzt geändert am 10.04.2007

Dateiliste / Details

DateiDateien geändert amGröße
Diss_Reimann.pdf11.02.2004 00:00:002,81 MB
index.html10.04.2007 10:15:5119,2 KB
This work explains a method for optoelectronic integration of an heterojunction bipolar transistor (HBT) and a waveguide electroabsorption modulator (EAM). For this the epitactical layers of the individual devices based on III/V-semiconductors are merged into each other. The method has the advantage to reuse layers and results in a layer stack, which is easier to process technologically. Additionally to the manufacturing of the individual devices HBT and EAM, this integration enables a multifunctional device, which works in the optical and electronic regime simultaneously (HBT-EAM). This corresponds to an EAM with integrated amplifier. Presented are epitaxy, technological processing and measurement results.
PURL / DOI:
Lesezeichen:
Permalink | Teilen/Speichern
Dokumententyp:
Wissenschaftliche Abschlussarbeiten » Dissertation
Fakultät / Institut:
Fakultät für Ingenieurwissenschaften » Elektrotechnik und Informationstechnik
Dewey Dezimal-Klassifikation:
600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften » 620 Ingenieurwissenschaften
Stichwörter:
HBT-EAM, optoelectronics, waveguide, electroabsorption modulator, InP, EAM, HBT, heterojunction bipolar transistor, integration, InGaAs
Beitragende:
Prof. Dr. rer. nat. Tegude, Franz-Josef [Betreuer(in), Doktorvater]
Prof. Dr. rer. nat. Jäger, Dieter [Gutachter(in), Rezensent(in)]
Sprache:
Deutsch
Kollektion / Status:
Dissertationen / Dokument veröffentlicht
Datum der Promotion:
11.02.2004
Dokument erstellt am:
11.02.2004
Dateien geändert am:
10.04.2007
Medientyp:
Text