Untersuchungen zu CMOS-kompatiblen Bauelementen mit SiGe/Si-Heterostrukturen auf SIMOX-Substraten

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In this thesis the use of SiGe/Si-heterostructures was investigated to improve the high frequency characteristics of MOSFETs of an existing high frequency Si-CMOS-technology on SIMOX-substrates. Following work was done: process development of SiGe/Si-epitaxy on SIMOX-substrates, characterisation of SiGe/Si-heterostructures with X-rays, investigation of the fabrication of SiGe-buffers and the technology development and process integration to fabricate SiGe-MOSFETs on SIMOX-substrates. In dieser Dissertation wurde, aufbauend auf einer Hochfrequenz-Si-CMOS-Technologie auf SIMOX-Substraten, untersucht, inwieweit sich die Hochfrequenzeigenschaften von MOSFETs durch die Verwendung von SiGe/Si-Heterostrukturen verbessern lassen. Schwerpunkte dieser Arbeit waren die Entwicklung der SiGe/Si-Epitaxie auf SIMOX-Substraten, die Charakterisierung der SiGe/Si-Heterostrukturen auf SIMOX-Substraten mit R├Ântgenmethoden, die Untersuchungen zur Herstellung von SiGe-Pufferschichten sowie die Technologieentwicklung und Proze├čintegration zur Herstellung von SiGe-MOSFETs auf SIMOX-Substraten.
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Dokumententyp:
Wissenschaftliche Abschlussarbeiten » Dissertation
Fakultät / Institut:
Fakultät für Ingenieurwissenschaften » Elektrotechnik und Informationstechnik
Dewey Dezimal-Klassifikation:
600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften » 620 Ingenieurwissenschaften
Stichwörter:
MOSFET, grazing incidence x-ray reflectometry, LPCVD-SiGe-epitaxy, SIMOX-substrates, CMOS, SiGe, SiGe-buffer, Röntgenreflektometrie, process integration, High Resolution X-Ray Diffraction (HRXRD)
Beitragender:
Prof. Dr. rer. nat. Zimmer, Günter [Gutachter(in), Rezensent(in)]
Sprache:
Deutsch
Kollektion / Status:
Dissertationen / Dokument veröffentlicht
Datum der Promotion:
26.04.2000
Dokument erstellt am:
26.04.2000
Dateien geändert am:
26.04.2000
Medientyp:
Text