In this thesis the use of SiGe/Si-heterostructures was investigated to improve the high frequency characteristics of MOSFETs of an existing high frequency Si-CMOS-technology on SIMOX-substrates. Following work was done: process development of SiGe/Si-epitaxy on SIMOX-substrates, characterisation of SiGe/Si-heterostructures with X-rays, investigation of the fabrication of SiGe-buffers and the technology development and process integration to fabricate SiGe-MOSFETs on SIMOX-substrates. In dieser Dissertation wurde, aufbauend auf einer Hochfrequenz-Si-CMOS-Technologie auf SIMOX-Substraten, untersucht, inwieweit sich die Hochfrequenzeigenschaften von MOSFETs durch die Verwendung von SiGe/Si-Heterostrukturen verbessern lassen. Schwerpunkte dieser Arbeit waren die Entwicklung der SiGe/Si-Epitaxie auf SIMOX-Substraten, die Charakterisierung der SiGe/Si-Heterostrukturen auf SIMOX-Substraten mit Röntgenmethoden, die Untersuchungen zur Herstellung von SiGe-Pufferschichten sowie die Technologieentwicklung und Prozeßintegration zur Herstellung von SiGe-MOSFETs auf SIMOX-Substraten.