Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Hochgeschwindigkeitstransistoren auf InP

Dateibereich 5007

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Diss-U.Auer_InP-HFET.pdf02.12.1999 00:00:001,66 MB
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Molekularstrahlepitaxie, Technologie und Modellierung von InP-basierenden Heterostrukturfeldeffekttransistoren mit reduzierten Stoßionisationsraten und additiven Löcher- und Elektronenbarrieren zur Erzielung kleinster Leckströme und grössten Durchbruchsspannungen bei höchsten Schaltgeschwindigkeiten
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Dokumententyp:
Wissenschaftliche Abschlussarbeiten » Dissertation
Fakultät / Institut:
Fakultät für Ingenieurwissenschaften » Elektrotechnik und Informationstechnik
Dewey Dezimal-Klassifikation:
600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften » 620 Ingenieurwissenschaften
Stichwörter:
Transistormodell, InP, Gate-Strom, Durchbruchspannung, InGaAs-Kanal, Transistor
Beitragender:
Prof. Dr. rer. nat. Tegude, Franz-Josef [Gutachter(in), Rezensent(in)]
Sprache:
Deutsch
Kollektion / Status:
Dissertationen / Dokument veröffentlicht
Datum der Promotion:
02.12.1999
Dokument erstellt am:
02.12.1999
Dateien geändert am:
25.10.2006
Medientyp:
Text