Untersuchungen zur Synthese von Diamantfilmen mittels CVD-Prozeß in einer DC-Lichtbogenanlage

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Es wurden Diamantfilme in einer DC-Lichtbogenanlage während eines CVD-Prozesses abgeschieden. Die dazu erforderlichen Maßnahmen, wie z.B. Messung und Kontrolle der Substrattemperatur und Stabilisierung des Plasmas werden beschrieben. Durch Optimierung des Verfahrens ist es erstmals auch in der beschriebenen Anlage gelungen, das Standardmaterial Silicium mit Diamant zu beschichten. Prozeßparameter wurden variiert und die Ergebnisse dieses eher unüblichen Verfahrens zur Diamantsynthese werden mit den Ergebnissen der Hauptbeschichtungsverfahren, wie z.B. dem mikrowellenunterstützten CVD-Verfahren und dem Hot-Filament-CVD-Verfahren verglichen.
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Dokumententyp:
Wissenschaftliche Abschlussarbeiten » Dissertation
Fakultät / Institut:
Fakultät für Physik » Technische Physik
Dewey Dezimal-Klassifikation:
500 Naturwissenschaften und Mathematik » 530 Physik
Stichwörter:
Diamant, CVD, DC-Lichtbogen, Prozeßparameter, Wachstumsparameter
Sprache:
Deutsch
Kollektion / Status:
Dissertationen / Dokument veröffentlicht
Datum der Promotion:
23.12.1999
Dokument erstellt am:
23.12.1999
Promotionsantrag am:
31.01.2000
Dateien geändert am:
23.12.1999
Medientyp:
Text